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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/11| Estudio de pasivación de sustratos de c-Si y texturizado por plasma para aplicaciones en celdas solares de heterounión | |
| DULCE GUADALUPE MURIAS FIGUEROA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Plasma Texturing Amorphous Silicon Passivation | |
| En esta tesis, se reporta la optimización en la formación de estructuras tipo piramidales en la superficie de sustratos de silicio cristalino (c-Si), obtenidas por procesos de texturizado de plasma de SF6/O2. Las obleas de c-Si texturizadas tienen valores de reflectancia difusa muy bajas, de hasta 2.9%. Estos valores son mucho más bajos que los reportados utilizando procesos de texturizado húmedos basados en soluciones de KOH y NaOH, los que se encuentran en un rango de 12-14%. También se hace énfasis en la dependencia que la uniformidad y forma del texturizado tienen con la temperatura del substrato y cómo éste parámetro contribuye a obtener superficies altamente texturizadas. Siendo esta aportación la más importante de este trabajo, ya que no se había reportado en la literatura. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 24-06-2016 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Público en general | |
| Murias-Figueroa D. G. | |
| TECNOLOGÍA DE MATERIALES | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| MuriasFiDG.pdf | 4.52 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |