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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/334| Modelado comportamental de dispositivos basados en Ag/TiO2/ITO con efecto memristivo | |
| JESUS JIMENEZ LEON | |
| LIBRADO ARTURO SARMIENTO REYES | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Memristor Modeling the memristor Resistive switching | |
| Se presenta el desarrollo de una metodología de modelado memristivo para dispositivos basados en películas delgadas de dióxido de titanio (TiO2) depositadas sobre óxido de estaño e indio (ITO) y utilizando contactos de plata (Ag). Para probar su efectividad, esta metodología ha sido aplicada para obtener expresiones analíticas para las variables eléctricas —resistencia y corriente— en dispositivos cuyo espesor de película de TiO2 es de 100 nm y 50 nm. El resultado es una función definida a trozos, cuyas expresiones están basadas en un polinomio de grado variable, elegido en función de la reducción del error cuadrático medio normalizado. La comparación entre los datos experimentales y las funciones analíticas propuestas muestran una similitud de, al menos, 88% para la resistencia en función del tiempo y mayor a 95% para la corriente en el tiempo. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2017-02 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Jiménez-León J. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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