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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/46| Evaluación de modelos y metodologías para caracterizar el TMOS en altas frecuencias | |
| FABIO ALEJANDRO RUIZ MOLINA | |
| ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| MOSFET modeling Small signal models Calibration process Equipment configuration | |
| El uso masivo del TMOS en la actualidad no tiene precedentes. Existen varios pronósticos sobre la situación a futuro del TMOS, la mayoría concuerda con que, al menos de aquí a diez años, éste será la base del desarrollo tecnológico basado en transistores. Dicho lo anterior, es evidente la necesidad de tener herramientas que permitan la caracterización del TMOS y que evolucionen a la par con éste. Dos de las herramientas fundamentales son los modelos y las metodologías para la extracción de los parámetros de los modelos. A pesar de que la caracterización del TMOS se puede llevar a cabo de diferentes maneras, los métodos basados en mediciones en alta frecuencia están tomando cada vez más relevancia. En el presente trabajo se discute la caracterización del TMOS operando en pequeña señal, basada en la medición de los parámetros S. Se comienza abordando, de manera muy general, el funcionamiento del TMOS. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 19-02-2016 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Público en general | |
| Ruiz-Molina F.A. | |
| DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| RuizMFA.pdf | 5.14 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |