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Fabricación y caracterización de detectores de radiación UV basados en silicio
CESAR MANUEL CALLEJA GOMEZ
ALFONSO TORRES JACOME
Acceso Abierto
Atribución-NoComercial-SinDerivadas
Micro-optics
Fabrics
Optical elements
Detectores de radiación UV se han fabricado en una amplia variedad de estructuras y sobre varios materiales. Siendo el silicio (Si) el material que en la actualidad es el más utilizado en la fabricación de circuitos integrados, se hace necesario que la fabricación de dispositivos detectores de radiación UV sea de manera monolítica en el sustrato de silicio, reduciendo costos, donde además, se busca la compatibilidad con el proceso de fabricación del transistor CMOS. La absorción de fotones en el rango de la radiación UV en el silicio, es tan alta que esta ocurre muy cerca de la superficie, debido a esto un contacto superficial del tipo metal-semiconductor-metal se puede aprovechar para hacer una rápida y eficiente colección de los portadores de carga fotogenerados, pero también la reflexión es alta a estas longitudes de onda por lo que se tiene que utilizar capas antirreflectoras. En este trabajo, se revisa la teoría de los contactos metal-semiconductor, las características generales de los detectores de fotones basados en silicio y las técnicas utilizadas para mejorar la eficiencia de detección. Se fabrican dispositivos detectores de radiación UV basados en contactos metal semiconductor sobre silicio y se realizan mediciones I-V para determinar las características de estos. Se realiza el depósito de óxido de estaño que es un oxido conductor transparente, que puede ser utilizado como electrodos transparentes, buscando de este material buenas características ópticas y conductivas.
Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
2011-02
Tesis de maestría
Español
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Calleja-Gomez c.M.
ELECTRÓNICA
Versión aceptada
acceptedVersion - Versión aceptada
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