Bienvenidos al Repositorio Institucional de INAOE


¡Bienvenido a nuestro Repositorio Institucional de INAOE!

Nuestro repositorio es una Plataforma digital que contiene toda nuestra información académica, científica, tecnológica y de innovación, la cual se encuentra vinculada al Repositorio Nacional del CONACYT siguiendo estándares internacionales contemplados en los Lineamientos Técnicos para la construcción de repositorios institucionales publicados por el CONACYT.

Buscar por Autor ALFONSO TORRES JACOME


0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Mostrando resultados 11 a 30 de 63


Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2008Degradation and Breakdown of W–La2O3 Stack after Annealing in N2ArtículoJOEL MOLINA REYES; ALFONSO TORRES JACOME; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA26-abr-2018
2012Deposition and characterization of polymorphous germanium films prepared by low frequency PECVDArtículoMARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; Pedro Rosales Quintero; ANDREY KOSAREV; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; CLAUDIA REYES BETANZO; Miguel Dominguez5-may-2021
feb-2013Desarrollo de micro-bolómetros no enfriados basados en Silicio y Germanio PolimorfoTesis de maestríaRICARDO JIMENEZ ZAVALA-
2011Design and fabrication of a bidimentional microbolometer array for Terahertz detection characterized at different temperaturesArtículoAbdu Orduña Díaz; Edgar Castillo Domínguez; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-abr-2019
mar-2012Development of Low-Temperature ambipolar a-SiGe:H Thin-Film transistors technologyTesis de doctoradoMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ26-oct-2017
jun-2016Diseño de un proceso integrado de fabricación de sistemas micro-electromecánicos (MEMS) genérico y modular.Tesis de doctoradoCARLOS RAMON BAEZ ALVAREZ31-ago-2017
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
ene-2013Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film TransistorsArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME3-dic-2021
2011Enhancement of the electrical characteristics of MOS capacitors by reducing the organic content of H2O-diluted Spin-On-Glass based oxidesArtículoJoel Molina Reyes; ALFONSO TORRES JACOME; Jose Efren Peña Alarcon Peña; Manuel Escobar Aguilar11-jul-2019
dic-2013Estudio de las características electrónicas de las películas de a-SiGe:H y pm-SiGe:H depositadas por plasma sobre sustratos de plásticoTesis de maestríaCARLOS ALBERTO OSPINA OCAMPO-
nov-2011Fabricación de circuitos impresos sobre teflón compatible con procesos de microelectrónicaTesis de maestríaABEL PEREZ FAJARDO23-oct-2017
feb-2011Fabricación y caracterización de detectores de radiación UV basados en silicioTesis de maestríaCESAR MANUEL CALLEJA GOMEZ13-oct-2017
jul-2008Fabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H Tesis de maestríaMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ21-sep-2017
dic-2007Fabrication and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films obtained by low frequency plasma depositionArtículoMARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME19-feb-2018
8-oct-2007Fabrication and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films obtained by low frequency plasma depositionArtículoMARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME21-feb-2018
ene-2007Fabrication and performance comparison of planar and sandwich structures of micro-bolometers with Ge thermo-sensing layerArtículoMARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; ROBERO CARLOS AMBROSIO LAZARO19-feb-2018
2010FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratiosArtículoABDU ORDUÑA DIAZ; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; ALFONSO TORRES JACOME24-sep-2018
2010FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratiosArtículoAbdu Orduña Díaz; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; MARLON ROJAS LOPEZ; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; ALFONSO TORRES JACOME11-jul-2019
28-dic-2012Germanium metal-semiconductor-metal photodetectors evanescently coupled with upper-level silicon oxynitride dielectric waveguidesArtículoALFONSO TORRES JACOME; Ignacio Enrique Zaldívar Huerta13-sep-2022
2007Growth and characterization of nano-structured silicon-germanium films deposited by LF PE CVDTesis de doctoradoLIBORIO SANCHEZ MORALES13-oct-2017