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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
dic-2007Obtención de profundidades de unión xj menores a 0.4 μm, con una óptima activación de los dopantes implantados o depositados Tesis de doctoradoJairo Plaza Castillo11-oct-2017
feb-2014Optoelectronic properties of tin doped indium oxide films fabricated by DC magnetron sputtering with post annealing in oxygen atmosphereTesis de maestríaCRISTIAN JAVIER HERRERA RODRIGUEZ-
2008Pulse characteristics of silicon double barrier optical sensors with signal amplificationArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS26-abr-2018
1-feb-2013Semiconductor Light-Controlled Instrument Transducer with Direct PWM Output for Automatic Control SystemsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE11-dic-2021
2014Study of optoelectronic characteristics in Germanium- Silicon films deposited by low frequency plasma and related devicesTesis de doctoradoFRANCISCO TEMOLTZI AVILA-
abr-2007The physical reason of intense electroluminescence in ITO–Si heterostructuresArtículoOLEKSANDR MALIK; Arturo I. Martinez; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE20-feb-2018
2010UV-sensitive optical sensors based on ITO-gallium phosphide heterojunctionsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; JESUS HUMBERTO ABUNDIS PATIÑO17-oct-2018
2008Very shallow boron junctions in Si by implantation and SOD diffusion obtained by RTPArtículoJairo Plaza Castillo; ALFONSO TORRES JACOME; OLEKSANDR MALIK2-may-2018
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