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Fecha de publicación	Título	Tipo de publicación/ Tipo de recurso	Autor(es)	Fecha de depósito
2011	Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C	Artículo	MIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; Joel Molina Reyes; MARIO MORENO MORENO; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga	27-ago-2019