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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2010FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratiosArtículoABDU ORDUÑA DIAZ; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; ALFONSO TORRES JACOME24-sep-2018
2010Noise in micro-bolometers with silicon-germanium thermo-sensing layerArtículoANDREY KOSAREV; MARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; Sergey N. Rumyantsev; ISMAEL COSME BOLAÑOS17-oct-2018
2010An overview of uncooled infrared sensors technology based on amorphous silicon and silicon germanium alloysArtículoROBERTO AMBROSIO; MARIO MORENO MORENO; JOSE MIRELES JR. GARCIA; ALFONSO TORRES JACOME; ANDREY KOSAREV; AURELIO HORACIO HEREDIA JIMENEZ29-oct-2018
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
2010Measurements of thermal characteristics in silicon germanium un-cooled micro-bolometersArtículoMARIO MORENO MORENO; ROBERTO AMBROSIO; ALFONSO TORRES JACOME; ANDREY KOSAREV; JOSE MIRELES JR. GARCIA29-oct-2018
2010a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate usedArtículoABDU ORDUÑA DIAZ; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; MARTHA DOLORES BIBBINS MARTINEZ; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-oct-2018
2010Optimization of the contact resistance in the interface structure of n-type Al/a-SiC:H by thermal annealing for optoelectronics applicationsArtículoROBERTO AMBROSIO; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; MARIO MORENO MORENO; JOSE MIRELES JR. GARCIA10-jul-2019
2010a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate usedArtículoMARLON ROJAS LOPEZ; Abdu Orduña Díaz; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; MARTHA DOLORES BIBBINS MARTINEZ; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS11-jul-2019
2010FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratiosArtículoAbdu Orduña Díaz; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; MARLON ROJAS LOPEZ; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; ALFONSO TORRES JACOME11-jul-2019

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