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Fecha de publicación | Título | Tipo de publicación/ Tipo de recurso | Autor(es) | Fecha de depósito |
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2012 | Comparison of Doping of Gey Si1-y:H (y>0.95) Films Deposited by Low Frequency PECVD at High (300°C) and Low (160°C) Temperatures | Artículo | Ismael Cosme Bolaños; ANDREY KOSAREV; FRANCISCO TEMOLTZI AVILA | 2-may-2021 |