Search



Use filters to refine the search results.





Results 1-10 of 20 (Search time: 0.002 seconds).

Item hits:


Issue DateTitlePublication Type/ Resource TypeAuthor(s)Submit Date
2008IR sensors based on silicon–germanium–boron alloys deposited by plasma: Fabrication and characterizationArtículoANDREY KOSAREV; MARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS ZUÑIGA ISLAS19-Apr-2018
2008Efficient ITO–Si solar cells and power modules fabricated with a low temperature technology: Results and perspectivesArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; GUILLERMO RUIZ TABOADA23-Apr-2018
2008Pulse characteristics of silicon double barrier optical sensors with signal amplificationArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS26-Apr-2018
2008Digital output silicon optical sensorsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS23-Apr-2018
2010UV-sensitive optical sensors based on ITO-gallium phosphide heterojunctionsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; JESUS HUMBERTO ABUNDIS PATIÑO17-Oct-2018
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-Oct-2018
2010Study of fluorescence of yttrium doped zinc sulfide nanoparticlesArtículoVALENTIN LOPEZ GAYOU; CARLOS ZUÑIGA ISLAS6-Nov-2018
2010Optimization of the contact resistance in the interface structure of n-type Al/a-SiC:H by thermal annealing for optoelectronics applicationsArtículoROBERTO AMBROSIO; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; MARIO MORENO MORENO; JOSE MIRELES JR. GARCIA10-Jul-2019
2011Alternative post-processing on a CMOS chip to fabricate a planar microelectrode arrayArtículoFRANCISCO LOPEZ HUERTA; AGUSTIN LEOBARDO HERRERA MAY; JOHAN JAIR ESTRADA LOPEZ; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; BLANCA AURORA CERVANTES SANCHEZ; BLANCA SUSANA SOTO CRUZ23-Aug-2019
2011Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°CArtículoMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; Joel Molina Reyes; MARIO MORENO MORENO; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga27-Aug-2019

Discover