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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2011Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°CArtículoMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; Joel Molina Reyes; MARIO MORENO MORENO; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga27-ago-2019
2011Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon HeterojunctionsArtículoPedro Rosales Quintero; MARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; Joel Molina Reyes; Wilfrido Calleja Arriaga; CARLOS ZUÑIGA ISLAS25-sep-2019
2012MOHOS-type memory performance using HfO₂ nanoparticles as charge trapping layer and low temperature annealingArtículoJoel Molina Reyes; Rafael Ortega; Wilfrido Calleja Arriaga; Pedro Rosales Quintero; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; ALFONSO TORRES JACOME2-may-2021
2012HfO₂ nanoparticles embedded within a SOG-based oxide matrix as charge trapping layer for SOHOS-type memory applicationsArtículoJoel Molina Reyes; Rafael Ortega; Wilfrido Calleja Arriaga; Pedro Rosales Quintero; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; ALFONSO TORRES JACOME2-may-2021
2012Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °CArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; MARIO MORENO MORENO; Joel Molina Reyes; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga2-may-2021
ene-2013Physical and electrical characteristics of atomic-layer deposition-HfO₂ films deposited on Si substrates having different silanol Si-OH densitiesArtículoJoel Molina Reyes; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME28-mar-2022
19-jul-2013Chemical and Morphological Characteristics of ALD Al₂O₃ Thin-Film Surfaces after Immersion in pH Buffer SolutionsArtículoJoel Molina Reyes; BERNI MANOLO PEREZ RAMOS; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME28-mar-2022

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