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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/107| Caracterización de nanocristales de silicio obtenidos a temperatura ambiente | |
| ORLANDO CORTAZAR MARTINEZ | |
| MARIANO ACEVES MIJARES MARCO ANTONIO VASQUEZ AGUSTIN | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Nanopowders Photoluminescence Oxidation Optics Emission | |
| El desarrollo de la tecnología de nanocristales en silicio ha tenido un gran auge en las últimas décadas desde que se demostró por primera vez la emisión fotoluminiscente (FL) a temperatura ambiente en películas de silicio poroso. Esto debido a la necesidad de integrar fuentes de luz basadas en silicio con circuitos optoelectrónicos basados en la tecnología del silicio. Desde entonces se ha puesto un gran interés en el estudio de las propiedades del silicio a escalas nanométricas, ya sea en el silicio poroso o en estructuras que contengan nanocristales de silicio dentro de una matriz aislante como el óxido de silicio. Estos nanomateriales pueden ser fabricados por una gran variedad de técnicas como lo son: Deposito Químico en Fase Vapor (CVD), Implantación Iónica, y Pulverización catódica, entre otras. Sin embargo, para la mayoría de estas técnicas es necesario aplicar altas temperaturas de aleación para incrementar la formación y aglomeración de los nanocristales de silicio que produzcan emisión FL. Normalmente el proceso de aleación se realiza en ambiente de Nitrógeno, Oxigeno o Hidrogeno. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2015-02 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Público en general | |
| Cortazar-Martinez O. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| CortazarMaO.pdf | 4.4 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |