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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1393| Obtención de AlN por sputtering reactivo | |
| Joaquín Salvador | |
| ALFONSO TORRES JACOME | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| AlN Aluminum nitride Sputtering Piezoelectric | |
| Every year the number of persons with access to communication technologies increases, besides this, the demand for sending larger and faster information packets increases. The current technology based on transistors as building blocks for communication devices faces the challenge of continuing the scaling trend to satisfy the needs of the market, by increasing devices that directly affect the increase in the operation frequency. The difficulties of this solution lies in problems of integration and termal dissipation, that is, increasing the number of transistors generates heating problems that affect the high frequency performance of the devices, plus of the common problems of scaling such as leakage currents, technological limitations and high implementation costs. These are some reasons why this work centers in obtain a piezoelectric material compatible with the current technology, low cost, obtained at low temperature (<400 ° C), with excellent piezoelectric properties and is proposed as a base material for the creation of new MEMS devices for High Frequency HF, that can solve the consumption demands without the implementation problems that the classical transistors solution entails. The material obtained has as its main application the manufacture of devices that are compatible with the CMOS process. This is why different combinations of AlN / Metal / SiO2 / Si are also made and characterized, as alternative substrates ready for the manufacture of devices. Cada año se incrementa el número de personas con acceso a tecnologías de comunicación, y con ello crece la demanda por enviar paquetes de información de mayor tamaño y a una velocidad superior. La tecnología actual, basada en transistores como bloque de construcción de dispositivos de comunicación, enfrenta el reto de continuar la tendencia de escalamiento para hacer frente a las necesidades del mercado, mediante el aumento de dispositivos que repercutan directamente en el incremento de la frecuencia de operación. Las dificultades de implementación de esta solución recae en problemas de integración y disipación térmica, es decir, aumentar el número de transistores genera problemas de calentamiento que comprometen el desempeño en alta frecuencia de los dispositivos, esto sin mencionar los problemas comunes del escalamiento como las corrientes de fuga, las limitaciones tecnológicas y los altos costos de implementación. Por lo que es necesario buscar alternativas que no requieran mayor escalamiento ni representen grandes costos. Es por esto que en este trabajo se obtiene un material piezoeléctrico compatible con la tecnología actual, de bajo costo, obtenido a baja temperatura (<400 ° C), con excelentes propiedades piezoeléctricas y se propone como material base para la generación de nuevos dispositivos MEMS de Alta Frecuencia HF, capaces de resolver las demandas de consumo sin los problemas de implementación que la solución con transistores conlleva. El material obtenido tiene como principal aplicación la fabricación de dispositivos que son compatibles con el proceso CMOS. Es por esto que también se realizan y caracterizan diferentes combinaciones de AlN/Metal/SiO2/Si, como alternativas de sustratos para la fabricación de dispositivos. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2018-09 | |
| Tesis de maestría | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Salvador Córdova, J., (2018). Obtención de AlN por sputtering reactivo, Tesis de Maestría, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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