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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1833| Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions | |
| Pedro Rosales Quintero MARIO MORENO MORENO ALFONSO TORRES JACOME FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE Joel Molina Reyes Wilfrido Calleja Arriaga CARLOS ZUÑIGA ISLAS | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Amorphous semiconductors Heterojunction diodes Transport mechanisms Base doping concentration Semiconductores amorfos Heterouniones Mecanismos de transporte Concentración de dopantes en la base | |
| The charge transport mechanisms occurring in n-type a-SiGe:H on p-type c-Si heterojunctions were determined by analyzing the temperature dependence of the current-voltage characteristics in structures with four different peak base doping concentrations (NB = 1x10^15, 7x10^16, 7x10^17 and 5x10^18 cm-3). From the experimental results, we observed that at low forward bias (V< 0.45V) the current is determined by electron diffusion from the n-type amorphous film to the p-type c-Si for the heterojunction with NB = 1x10^15cm-3, whereas the Multi- Tunneling Capture Emission (MTCE) was identified as the main transport mechanism for the other base doping concentrations. On the other hand, at high forward bias (V> 0.45V), the space charge limited current effect became the dominant transport mechanism for all the measured devices. Under reverse bias the transport mechanisms depends on the peak base doping, going from carrier generation inside the space charge region for the lowest doping, to hopping and thermionic field emission as the base doping concentration is increased. Heterouniones de a-SiGe:H tipo-n sobre silicio cristalino tipo-p con cuatro diferentes concentraciones pico en la base (1x10^15, 7x10^16, 7x10^17 y 5x10^18 cm-3) fueron fabricadas y caracterizadas. Los mecanismos de transporte se determinaron por medio de sus curvas características de corriente vs voltaje en función de la temperatura. El análisis de los resultados muestra que a bajos voltajes de polarización directa (V< 0.45V) en la heterounión con la menor concentración pico la corriente es determinada por la difusión de electrones del a-SiGe:H tipo-n hacia el silicio cristalino tipo-p. Mientras que el multituneleo captura-emisión (MTCE) es el principal mecanismo de transporte en las otras heterouniones. A altos voltajes de polarización directa (V> 0.45V) el efecto de corriente limitada por carga espacial (SCLC) es el mecanismo de transporte dominante en todos los dispositivos caracterizados. El incremento en la concentración de dopantes en la base, además, causa un aumento en la corriente inversa. | |
| Revista Mexicana de Física | |
| 2011 | |
| Artículo | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Rosales-Quintero, P. , et al., (2011). Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions, Revista Mexicana de Física, Vol. 57 (2): 133–139 | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Electrónica |
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