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Arreglo de microelectrodos planares con procesos CMOS estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)
BLANCA SUSANA SOTO CRUZ
CARLOS ZUÑIGA ISLAS
Acceso Abierto
Atribución-NoComercial-SinDerivadas
CMOS
Microelectrodo
Compuerta de transmisión
Bipotenciales
Filtro pasabanda
Microelectrode
Transmission gate
Biopotentials
Passband filter
Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 μm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de señales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm2 haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica.
The design and the on-chip integration of planar microelectronic array and the read-out circuit implemented by 0.6 μm CMOS process (Complementary Metal–Oxide–Semiconductor), is presented. The design includes a shielding ring around the microelectrode array and a control for a tunable low pass filter, which are made with a CMOS transmission gate operating in subthreshold region. This is achieved by varying the gate voltage in a range from 400 to 800 mV for a frequency range of 1 to 1KHz. The performance of the circuit with a voltage supply ± 1.5 V was 40dB gain, 44 dB PSRR (power supply rejection ratio) and 87 dB CMRR (common-mode rejection ratio), in an area of 0.014mm2, showing that the system is a good alternative for biological applications.
Información Tecnológica
2011
Artículo
Español
Estudiantes
Investigadores
Público en general
López, F., et al., (2011). Arreglo de microelectrodos planares con procesos CMOS estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), Información Tecnológica, Vol. 22 (3): 115-124
ELECTRÓNICA
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