Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1835| Dose dependent shift of the TL glow peak in a silicon rich oxide (SRO) film | |
| THOMAS MARIA PITERS MARIANO ACEVES MIJARES DAINET BERMAN MENDOZA Luis Raúl Berriel Valdós | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Thermoluminescence Silicon SRO LPCVD Termoluminiscencia Silicio | |
| Thermoluminescence (TL) properties of UV irradiated silicon oxide films with silicon nano particles were investigated. The TL glow curve exhibits two symmetric glow peaks, one centered at about 120±C and the other one centered at around 240±C. The position of the peak maximum of the 120±C TL peak appears to shift to higher temperatures with increasing radiation dose while the high temperature peak shifts to lower temperature. The shift to lower temperature with increasing radiation dose of the 240±C peak is typical for a second order kinetics glow peak. The shift of the 120±C peak to higher temperature however is peculiar and is explained in this work as an effect of the multiple phase (silicon nano particles embedded in silicon oxide) nature of the film. En este trabajo se investigaron las propiedades de Termoluminiscencia (TL) de películas de oxido de silicio con exceso de silicio irradiadas con UV. La curva de emisión termoluminiscente exhibe dos picos simétricos, uno centrado en 120±C y la otra centrada en alrededor de 240±C. La posición del máximo pico de TL en 120±C parece correrse hacia altas temperaturas con el incremento en la dosis de radiación, mientras el pico que se encuentra a altas temperaturas se desplaza hacia temperaturas bajas. El corrimiento hacia temperaturas bajas con el incremento de la dosis de radiación del pico en 240±C es típico para un pico emisión cinético de segundo orden. El corrimiento del pico de emisión en 120±C hacia temperaturas altas sin embargo es peculiar y en este trabajo se explica como un efecto de la naturaleza multifases (nanopartículas de Silicio embebidas en el oxido de silicio) de la película. | |
| Revista Mexicana de Física | |
| 2011 | |
| Artículo | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Piters, T.M., et al., (2011). Dose dependent shift of the TL glow peak in a silicon rich oxide (SRO) film, Revista Mexicana de Física, Vol. 57 (2): 26–29 | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Electrónica |
Cargar archivos:
| Fichero | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|
| 5 Aceves_2011_RevMex57.pdf | 218.28 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |