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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2006| Investigación del efecto de discontinuidades de interconexiones en el funcionamiento de osciladores resonantes RTWO con tecnologías CMOS nanométricas | |
| Carlos Sanabria | |
| MONICO LINARES ARANDA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Resonant oscillators RTWOs On-silicon vias BEOL vertical interconnection RF-CMOS | |
| Actualmente, una de las tendencias de los circuitos integrados (CIs) continúa siendo el escalamiento de las dimensiones de fabricación. Este escalamiento ha permitido aumentar el desempeño de los CIs y la migración a aplicaciones de mayores frecuencias (Rango de GHz e incluso THz). Aplicaciones móviles y de onda milimétrica utilizando las bandas libres (33 y 66 GHz) y sin licencia de uso, han motivado el interés del diseño de circuitos integrados de radio frecuencia (RF-CIs). Asimismo, el escalamiento tecnológico ha permitido aumentar el número de funciones por unidad de área lo cual conlleva a circuitos más complejos y de menor costo. Sin embargo, este incremento de densidad de dispositivos también conlleva al crecimiento de la cantidad y longitudes de las interconexiones entre los dispositivos que componen los CIs, lo cual ha provocado que los RF-CIs exhiban efectos de alta frecuencia propios de líneas de transmisión. Adicionalmente, para la interconexión de esta gran densidad de dispositivos, las nuevas tecnologías aumentan el número de niveles de metal, lo cual introduce una gran cantidad de discontinuidades geométricas en las transiciones de nivel en las interconexiones las cuales pueden afectar la integridad de las señales de alta frecuencia. Debido a esto, los requerimientos de diseño para RF-CIs se han incrementado a medida que lo hace la frecuencia de operación; esto es particularmente cierto para osciladores en general, donde el consumo de potencia, ruido de fase e integridad de la señal se deben mantener en rangos óptimos. El oscilador de onda viajera rotatoria o RTWO (Rotary-Traveling Wave Oscillator) es un oscilador resonante particularmente importante tanto para sistemas de comunicaciones como para redes de distribución de reloj en microprocesadores debido a su sencillez, bajo consumo de potencia, y reducido ruido de fase. Este tipo de osciladores aprovechan las características inductivas y capacitivas de las interconexiones BEOL (Back end of the line) comúnmente consideradas parásitas en el diseño de CIs, junto con las propiedades distribuidas de líneas de transmisión. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2020-01 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Sanabria Díaz, C. A., (2020), Investigación del efecto de discontinuidades de interconexiones en el funcionamiento de osciladores resonantes RTWO con tecnologías CMOS nanométricas, Tesis de Doctorado, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica. | |
| DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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