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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2008| BTI phenomenon analysis through gate oxide characterization | |
| ALEJANDRO CAMPOS CRUZ | |
| GUILLERMO ESPINOSA FLORES VERDAD | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| BTI Aging Degradation Gate stack SiON Gate oxide Gate rust Characterization | |
| Mhy degradation phenomena can no longer be ignored?
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology's continuos evolution has made possible the inclusion of billions of transistors into one silicon's dice; such powess alows designer a chance to create more complex and complete electronics circuits . However, this evolution also translates a increased, both transverse and logitudinal electric fields within the Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) device, since the voltage has not consistently been scaled down over different technology nodes. Intense electric fields are the main reason for reliability degradation increasing, which gives channel carriers enough energy to tunnel through gate insulator later to silicon's conduction band, causing bond-breaking near the drain region and also at silicon/oxide interface. Such tunneling phenomenon translates as a change in silicon's atomic structure, corrent-voltage (I-V), and voltage-capacitance (C-V) parameters for MOS devices. La continua evaluación de la tecnología complementaria 'Metal-Oxide-Semiconductor' (CMOS) ha hecho posible la inclusión de millones de transistores en un dado de silicio; tal avance le permite diseñadores de circuitos integrados, la oportunidad de crear circuitos electrónicos más complejos y completos. Sin embargo, esta evaluación también se puede traducir en aumento en los campos eléctricos transversales y longitudinales dentro de los dispositivos de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET), ya que el voltaje no ha sido reducido sistemáticamente para los diferentes nodos tecnológicos. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2020-08 | |
| Tesis de doctorado | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Campos Cruz, A., (2020). BTI phenomenon analysis through gate oxide characterization, Tesis de Doctorado, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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| Alejandro Campos-Cruz, PhD.pdf | 11.85 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |