Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2026| Estudio y caracterización sobre la incorporación de germanio en aleaciones con silicio obtenidas por un sistema RF PECVD a baja temperatura | |
| SARAI ZARATE GALVEZ | |
| Ismael Cosme Bolaños ANDREY KOSAREV | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Semiconductor Amorphous Germanium Characterization Right frecuencie Low temperature | |
| En la actualidad, las tecnologías que desarrollan celdas fotovoltaicas de película delgada de segunda y tercera generación con semiconductores amorfos, no tóxicos y fáciles de fabricar son consideras una alternativa muy prometedora para reemplazar en la industria a los paneles cristalinos convencionales debido a que los costos de producción y de instalación son en gran medida más bajos. Ya que reducen la temperatura del proceso debido a las técnicas de depósito empleadas, tales como el CVD (deposición química de vapor), el depósito electroquímico (ECD), el PVD (deposición física de vapor), etc. Una de las principales ventajas de éstos materiales es que pueden ser crecidos sobre una gran variedad de substratos flexibles, poliméricos, rígidos, metales o dieléctricos. Las películas que pueden realizarse mediante el uso de éstas técnicas y con los materiales mencionados también forman una amplia variedad (electrodos, buffers, películas activas, películas reflectoras, etc.). La búsqueda por comercializar e industrializar dichas tecnologías ha generado la necesidad de comprender mejor la física de los dispositivos fotovoltaicos de última generación en película delgada. Sin embargo, en la actualidad todavía hay muchas cuestiones importantes sin estudiar o no suficientemente estudiadas, esto principalmente por la amplia variedad de métodos y técnicas de fabricación que se han empleado con el fin de abaratar los costos. Uno de los métodos que actualmente ha sido establecido por la investigación e industria internacional como el proceso estándar de fabricación de dispositivos fotovoltaicos de película delgada es el RF PECVD. El presente trabajo está enfocado hacia un estudio sistemático de las características optoelectrónicas y estructurales en películas delgadas de Germanio-Silicio hidrogenado depositadas a alta frecuencia (f=13.56 MHz) por un sistema semi-industrial de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD) sobre sustratos de vidrio “Eagle XG” a baja temperatura (TS=160℃) con el fin de producir películas delgadas semiconductoras y dispositivos optoelectrónicos de alta calidad (comparados con los previamente fabricados en INAOE utilizando un sistema LF PECVD) empleando un proceso de depósito que cumpla con los estándares internacionales e industriales de las tecnologías fotovoltaicas. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2017-02 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Zárate Gálvez, S., (2017), Estudio y caracterización sobre la incorporación de germanio en aleaciones con silicio obtenidas por un sistema RF PECVD a baja temperatura, Tesis de Maestría, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica. | |
| ÓPTICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Óptica |
Cargar archivos:
| Fichero | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|
| ZarateGS.pdf | 5.76 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |