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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2446| Desarrollo de Transistores Avanzados de Barrera Schottky de Efecto de Campo con Bajo Gasto Térmico | |
| Arely Vazquez | |
| Joel Molina | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Schottky Barrier MOSFET Low Thermal Budget Metal-Semiconductor junction high-k dielectric MISCAP HfO2 | |
| En la industria de los dispositivos semiconductores, los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) han sido clave para el avance de la tecnología. La demanda de herramientas más rápidas y pequeñas ha llevado al escalamiento en pequeñas dimensiones de estos transistores, sin embargo, durante el proceso de escalamiento han aparecido algunas limitaciones de rendimiento que requieren la introducción de materiales y arquitecturas de dispositivos alternativos. Una alternativa al desarrollo de MOSFETs sin implantación de iones, ni pasos de difusión, es el MOSFET de barrera Schottky (SB-MOSFET), que sustituye la difusión de las uniones P-N altamente dopadas por uniones metal-semiconductor en las terminales de fuente/drenaje (S/D). Esto simplifica el proceso del transistor y permite su introducción en sustratos flexibles, a la par que mejora los parámetros de rendimiento del dispositivo. La elección correcta de los materiales adicionales para el desarrollo del SB-MOSFET desempeña un papel importante en el rendimiento final del transistor. Alternativas como las películas delgadas con alta constante dieléctrica como óxidos de compuerta promueven un mayor control sobre el voltaje de umbral (Vth) a la vez que reducen la corriente de fuga de compuerta, entre otras ventajas. In the semiconductor device industry, the metal-oxide-semiconductor field- effect transistor (MOSFET) has been key to the advancement of technology. The demand for faster and smaller tools has led to the scaling in small dimensions of these transistors, however, some performance limitations have appeared during the scaling process that requires the introduction of alternative materials and device architectures. An alternative to development of MOSFETs free of ion implantation and diffusion steps is the Schottky-barrier MOSFET (SB-MOSFET), which replace the diffusion of highly-doped P-N junctions by metal-semiconductor junctions at the source/drain (S/D) terminals. This simplifies the transistor process and enable their introduction into flexible substrates while improving device performance parameters. The correct choice of additional materials for the development of the SB-MOSFET plays an important role in the final performance of the transistor. Alternatives such as thin oxide films with high dielectric constant as gate oxides promote greater control over the threshold voltage (Vth) while reducing the gate leakage current, among other advantages. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2023-01 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Vázquez Jiménez, A., (2023), Desarrollo de Transistores Avanzados de Barrera Schottky de Efecto de Campo con Bajo Gasto Térmico, Tesis de Maestría, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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