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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/261| Metodología de selección de caminos críticos para circuitos nanométricos CMOS tolerantes a envejecimiento debido a NBTI | |
| ANDRES FELIPE GOMEZ CHACON | |
| VICTOR HUGO CHAMPAC VILELA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Statistical analysis Circuit reliability Critical path analysis | |
| El continuo escalado tecnológico de los dispositivos MOSFET ha permitido que los circuitos integrados VLSI alcancen una mayor densidad de integración y velocidad de operación, lo cual ha llevado a un incremento en la demanda de circuitos electrónicos, especialmente los circuitos digitales. Sin embargo, sobre el régimen de dimensiones nanométricas el impacto de algunos efectos que degradan el rendimiento del dispositivo es más significativo, disminuyendo su tiempo de vida útil. Los principales mecanismos de envejecimiento que afectan el rendimiento son el NBTI, HCI y TDDBD, siendo el NBTI identificado como el factor predominante de envejecimiento en transistores PMOS. El efecto que tiene el NBTI es el de aumentar la magnitud del voltaje umbral del transistor a través del tiempo, dependiendo de las condiciones de operación del dispositivo como temperatura y tensión de alimentación. El incremento del voltaje umbral ocasiona que el retardo de propagación de los caminos lógicos de señal en un circuito digital se incremente. Si este retardo sobrepasa las restricciones de temporización se presentará una falla en el sistema que en algunas aplicaciones como en el área automotríz o aeroespacial son inaceptables. Para tolerar el incremento del retardo de propagación debido al envejecimiento de los dispositivos, convencionalmente se introduce un tiempo adicional en el período de reloj que funciona como márgen de seguridad (también llamado banda de guarda). Sin embargo, introducir márgenes de seguridad en el período de reloj no permite obtener un óptimo rendimiento del circuito durante su tiempo de vida inicial. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2013-07 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Gomez-Chacon A.F. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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