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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2617| Procesos RTP en obleas de Si de 4” de diámetro:“Formación de Siliciuros de Titanio” | |
| Oscar Iván Ramírez Medina | |
| Alfonso Torres Jacome | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Silicides Titanium Silicide Rapid Thermal Processing RTP System Metallization Schemes CMOS technology Semiconductor devices | |
| La tendencia hacia la reducción de dimensiones de los circuitos integrados cada vez más especializados no solo provoca uniones menos profundas, sino que también disminuye el área de contacto, incrementando así su resistencia. Esto genera una serie de efectos que deben de ser considerados, haciendo necesario reevaluar los aspectos de diseño y fabricación de los dispositivos semiconductores para el desarrollo de nuevas tecnologías de escalamiento, lo que ha obligado a la industria de los semiconductores a buscar soluciones eficientes y rentables Los siliciuros, formados por la reacción en estado sólido entre una película delgada metálica y un sustrato de silicio (Si), constituyen una clase especial de materiales que han desempeñado un rol determinante en el avance de la miniaturización de la tecnología CMOS. En particular, en lo que respecta a las limitaciones generadas por los esquemas de metalización, estos materiales compuestos exhiben bajas resistividades, similares a la de los metales, y una buena estabilidad a altas temperaturas. Entre la amplia variedad de siliciuros estudiados en los últimos años, el siliciuro de titanio (TiSi2) destaca como un esquema de metalización robusto utilizado para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Es un candidato ideal debido a su baja resistividad, lo que lo hace útil para la formación de contactos e interconexiones. Además, su facilidad de formación y su capacidad de ser grabados selectivamente son características que los hacen compatibles con los procesos actuales de fabricación. En este trabajo se establecen las mejores condiciones experimentales para la formación del TiSi2 en el sistema RTP (Rapid Thermal Processing) del Laboratorio de Innovación en Sistemas Micro-Electro-Mecánicos (LIMEMS), logrando repetitividad en la uniformidad de espesor y en las propiedades del material, tanto en la misma oblea como de una oblea a otra. The trend towards reducing dimensions in increasingly specialized integrated circuits not only results in shallower junctions but also reduces contact area, thereby increasing resistance. This leads to a series of effects that must be considered, making it necessary to reevaluate the design and manufacturing aspects of semiconductor devices for the development of new scaling technologies, which has compelled the semiconductor industry to seek efficient and cost-effective solutions. Silicides, formed by the reaction in solid state between a thin metal film and a silicon substrate (Si), constitute a special class of material that have played a crucial role in advancing the miniaturization of CMOS technology. Particularly, with regard to the limitations imposed by metallization schemes, these compounds exhibit low resistivities, similar to those of metals, and good stability at high temperatures. Among the wide variety of silicides studied in recent years, titanium silicide (TiSi2) stands out as a robust metallization scheme used in the manufacturing of high-performance devices. It is an ideal candidate due to its low resistivity, making it useful for contacts and interconnections formation. Moreover, its ease of formation and ability to be selectively etched are characteristics that make it compatible with current manufacturing processes. This work establishes the optimal experimental conditions for the formation of TiSi2 in the Rapid Thermal Processing (RTP) system at the Laboratorio de Innovación en Sistemas Micro-Electro-Mecánicos (LIMEMS), achieving repeatability in thickness uniformity and material properties, both within the same wafer and from wafer to wafer. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2024-10 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Ramírez Medina, O. I., (2024), Procesos RTP en obleas de Si de 4” de diámetro:“Formación de Siliciuros de Titanio”, Tesis de Maestría, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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