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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/300| Obtención por bombardeo iónico (sputtering) y caracterización de películas delgadas SiOx y SnOx | |
| JESUS ALARCON SALAZAR | |
| MARIANO ACEVES MIJARES SERGIO ROMAN LOPEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Sputtering Thin films Photoluminescence | |
| Actualmente el estudio de óxido de silicio fuera de estequiometría (SiOx) y materiales compatibles con la tecnología de silicio, como es el caso de estaño, han tenido gran interés por las propiedades ópticas, eléctricas y luminiscentes que han mostrado, las cuales abren un panorama para la integración de dispositivos ópticos y eléctricos (optoelectrónicos) dentro de un mismo chip. Sin embargo la creciente miniaturización de los dispositivos demanda técnicas de fabricación con un mejor control de crecimiento, las cuales permitan obtener espesores en el rango nano-métrico. Una de las técnicas que presenta esta ventaja, además de poder trabajar con silicio y materiales compatibles con silicio, simultáneamente, es el depósito por bombardeo iónico (del inglés sputtering). Este trabajo presenta el estudio de las propiedades ópticas, morfológicas, eléctricas y de emisión de capas de SiOx y SnOx, obtenidas mediante bombardeo iónico reactivo (del inglés reactive sputtering), así como la evolución de las características después de ser sometidas a diferentes tratamientos térmicos. Como gas reactivo durante el depósito se utilizó oxígeno, con diferentes razones de argón/oxígeno para la formación del plasma. En el depósito de las películas de SiOx se utilizaron 2 blancos: silicio (Si) y monóxido de silicio (SiO), mientras para las películas de SnOx se utilizó un blanco de Sn. La etapa de caracterización óptica se llevó a cabo mediante Elipsometría nula, Espectroscopia infrarroja por Transformada de Fourier (FTIR), Fotoluminiscencia (FL) y Microscopio de Fuerza Atómica (AFM). Mientras la caracterización eléctrica se realizó mediante curvas Corrientes-Voltaje (I-V) y curvas Capacitancia – Voltaje (C-V). Los resultados de las diferentes técnicas de caracterización se analizaron y se estableció una correlación entre ellos. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2012-11 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Alarcón-Salazar J. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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