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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/332| Efecto de la rugosidad en el sustrato en las características electro-ópticas en capacitores emisores de luz | |
| JOAQUIN HERNANDEZ BETANZOS | |
| MARIANO ACEVES MIJARES | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| SRO Light emitter capacitor Rugosity LPCVD Photoluminescence Electroluminescence | |
| Los esfuerzos para desarrollar circuitos optoelectrónicos totalmente integrados en silicio han sido bastante amplios. Se ha experimentado con diversos materiales entre ellos el óxido de silicio rico en silicio para obtener fuentes de luz dado sus potenciales características luminiscentes y que se puede obtener mediante técnicas estándar en procesos CMOS. El óxido de silicio rico en silicio o SRO es un material formado por una matriz de óxido de silicio, óxido de silicio no estequiométrico y silicio en forma de nanoparticulas embebidos en esta matriz. Se puede obtener mediante técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD) y al someterse a tratamientos térmicos a altas temperaturas adquiere diversas propiedades, como el atrapamiento de carga, fotoluminiscencia, catodoluminiscencia y electroluminiscencia. Se han fabricado emisores de luz con estructuras tipo MOS en las cuales se ha obtenido electroluminiscencia de área completa usando como compuerta polisilicio dopado y SRO como capa activa. Esta tecnología es completamente compatible con CMOS. Sin embargo aún se tienen eficiencias bajas y voltajes de operación altos. En la presente tesis se hace un estudio de los efectos de la rugosidad en las propiedades ópticas y eléctricas de los capacitores emisores de luz con SRO obtenidos mediante LPCVD usando capas simples y múltiples de SRO sobre sustratos rugosos con 3 niveles de rugosidad obtenidos mediante grabado por iones reactivos (RIE). Se caracterizan las superficies rugosas mediante microscopía de fuerza atómica (AFM), las propiedades ópticas del SRO medianteelipsometría, caracterización fotoluminiscente, espectroscopia de infrarrojo por transformada de Fourier (FTIR) y electroluminiscencia. Además caracterización eléctrica de los capacitores mediante técnicas de medición de corriente en función del voltaje (I – V) y capacitancia en función del voltaje (C – V). | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2017-02 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Hernández-Betanzos J. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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