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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/333| Diseño de amplificadores balanceados de microondas | |
| ISRAEL HERNANDEZ DIAZ | |
| ALONSO CORONA CHAVEZ JOSE LUIS OLVERA CERVANTES | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Microwave amplifiers Diferential amplifiers Wideband amplifiers | |
| Este trabajo está enfocado al diseño de amplificadores de microondas de banda ancha utilizando la configuración de amplificadores balanceados. Un amplificador balanceado consta de un divisor de potencia en cuadratura a la entrada, dos amplificadores, y un combinador de potencia en cuadratura a la salida. Un amplificador balanceado se considera balanceado cuando sus dos amplificadores son idénticos. En este tipo de amplificadores, el ancho de banda queda determinado por el ancho de banda del divisor/combinador. En esta tesis se propone un nuevo esquema de amplificadores balanceados basados en una nueva configuración de divisores/combinadores en cuadratura. El divisor propuesto consta de un divisor tipo Wilkinson de dos etapas, una línea de 270◦ eléctricos e impedancia de 50 Ohms, y un filtro pasabanda el cual está formado por un stub de 90◦ en corto circuito a la entrada seguido por una línea de 180◦ eléctricos y otro stub de 90◦ en corto circuito a la salida. El circuito propuesto utiliza transistores pseudomórficos de alta movilidad de electrones (PHEMT) de Arsenuro de Galio (GaAs), como circuitos amplificadores. Sin embargo, el circuito propuesto también podría ser logrado con otro tipo de transistores de alta frecuencia tales como MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido), MESFET (Transistores de Efecto de Campo Metal-Semiconductor), HBT (Transistor Bipolar de Heterounión) y HEMT (Transistores de Alta Movilidad de Electrones). El circuito propuesto mejora el ancho de banda del amplificador basado en las pérdidas por regreso a la entrada y salida. En este trabajo se presenta un diagrama generalizado del circuito propuesto y como casos particulares se presenta el diseño de un amplificador a la frecuenciacentral de 1 GHz, otro a la frecuencia central de 2 GHz y un tercero a la frecuencia central 6.85 GHz. Basados en simulaciones, los amplificadores diseñados alcanzan un ancho de banda fraccional de 93.4%, 85.8% y 83.2% respectivamente. Es importante mencionar que dichos amplificadores pueden encontrar aplicaciones por ejemplo receptores de radioastronomía, imagenología, estaciones base inalámbricas, entre otros. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2012-01 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Hernández-Díaz I. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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