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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/363| Modelado y caracterización de MOSFETs nanométricos utilizando técnicas de circuito equivalente | |
| GERMAN ANDRES ALVAREZ BOTERO | |
| ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA REYDEZEL TORRES TORRES | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| MOSFET Modelling S-parameters | |
| Due to the increasing use of devices manufactured in CMOS technology for microwave applications, the development of reliable models that represent the performance of the MOSFET at high frequencies is increasingly indispensable for modern integrated circuits designers. To contribute in this field of research, this work presents a methodology for extracting and characterization that makes possible, from measurements of S parameters, to obtain the more important variables of MOS transistor models for the RF range. It considers physical parameters, as the threshold voltage (Vt), the gain factor (β0) and the factor mobility degradation (Ɵ). The results obtained from the extraction form a hybrid model which presents an excellent correlation, in the range of 100 MHz to 40 GHz, between the simulation and the data obtained experimentally. Additionally, an analysis of the influence of substrate on the MOSFET’s output characteristics is presented, showing that the parasitic components of the transistor have an important influence on the performance of the device when it is operated at high frequencies. The quantisation of the impact because of the substrate was carried out for different transistors with different channel lengths (80nm, 0,25 μm, 0,5 μm, 1 μm) showing the dependence of this effect with the geometry. Debido al creciente interés de usar dispositivos fabricados en tecnologías CMOS para aplicaciones de microondas, el desarrollo de modelos confiables que representen el desempeño del MOSFET en altas frecuencias es cada día más indispensable para los diseñadores de circuitos integrados. Para contribuir en este campo de investigación, en este trabajo se presenta la metodología de extracción y caracterización que permita la determinación, a partir de mediciones de parámetros S, de las variables más importantes de modelos del transistor MOS para el rango de RF. Se consideran parámetros físicos, como el voltaje de umbral (Vt), el factor de ganancia (β0) y el factor de degradación de la movilidad (Ɵ). Los resultados obtenidos de la extracción conforman un modelo hibrído el cual presenta una excelente correlación, en el rango de 100 MHz a 40 GHz, entre la simulación y los datos obtenidos experimentalmente. Adicionalmente, se presenta un análisis de la influencia del substrato en las características de salida del MOSFET, mostrando que las componentes parásitas del transistor pueden influir considerablemente en el desempeño del dispositivo cuando este es operado en altas frecuencias. La cuantificación del impacto del substrato se llevó a cabo para diferentes transistores, con diferentes longitudes de canal (80nm, 0,25 μm, 0,5 μm, 1 μm) mostrando la dependencia de este efecto con la geometría. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2009-07 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Alvarez-Botero G.A. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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