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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/390| Caracterización de obleas de silicio utilizando radiometría fototérmica | |
| DELIA MARIA HURTADO CASTAÑEDA | |
| WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA MARIO ENRIQUE RODRIGUEZ GARCIA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Photothermal spectroscopy Radiometry Silicon | |
| The Micro and Nano-Electronics industry is starting to use high-index silicon
substrates which show textured and stable surfaces enabling the fabrication
of new approach of MOS transistors and other technologies based on several
crystallographic orientations.
Photothermal Radiometry technique was used in this work to obtain electronic
parameters on high index crystallographic orientation silicon wafers. This
technique is non-destructive, non-invasive and non-contact, and allow
monitor sub-superficial structures and carrier transport properties in
semiconductor materials as: i) minority carrier lifetime (ƭ); ii) back and front
surface recombination velocities (S1, S2); iii) carrier diffusion coefficient (hole,
electron) (Dp, Dn). Also this technique allows studying kinetic surface
pasivation process by means of time signal evolution. Electronic parameters
test was done through Photocarrier Radiometry (PCR) that gets electronic
emission in 0.8 α 1.75µm range.
Quantitative results of transport properties in semiconductor silicon wafers
was gotten fitting the amplitude and phase of PCR signal in a theoretical
model using a multi-parametric fit program, where square variance was
minimize by means of square minimums methodology. La industria de micro y nano-electrónica ha comenzando a utilizar sustratos de alto índice cristalino con superficies estables y morfología texturizada que juegan un papel importante en la operación de dispositivos superficiales, así como en las tecnologías dependientes de la orientación cristalina del sustrato. En este trabajo se utilizó la técnica de Radiometría Fototérmica Infrarroja (RFI) para la obtención de parámetros electrónicos sobre obleas de silicio de alto índice cristalino. Estas técnicas tienen como ventaja que son de nocontacto, no- invasiva y no- destructiva, además de permitir monitorear estructuras sub-superficiales y propiedades de transporte de los portadores en materiales semiconductores como son: i) tiempo de vida de portadores minoritarios(ƭ); ii) velocidad de recombinación frontal y trasera (S1, S2); iii) coeficiente de difusión de portadores (electrones-huecos) (Dn, Dp). De igual manera nos permitió estudiar la cinética de los procesos de pasivación de las superficies por medio de la evolución de la señal en el tiempo. La evaluación de los parámetros electrónicos se realizó mediante la técnica de Radiometría de Fotoportadores (PCR, por sus siglas en inglés), que sólo es sensible a las emisiones electrónicas en el espectro de longitud de onda de 0.8 α 1.75µm. Los resultados cuantitativos de las propiedades de transporte electrónico se obtuvieron ajustando la amplitud y fase de la señal experimental en un modelo teórico utilizando un programa de ajuste multi-paramétrico, donde la varianza media cuadrada es minimizada por medio del método de mínimos cuadrados. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2009 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Hurtado-Castañeda D.M. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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