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| Fecha de publicación | Título | Tipo de publicación/ Tipo de recurso | Autor(es) | Fecha de depósito |
|---|---|---|---|---|
| ene-2013 | Study of GeSi:H materials deposited by PECVD at low temperatures (Td<200 °C) for device applications | Tesis de doctorado | ISMAEL COSME BOLAÑOS | - |