Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/412| Study of luminescence on multiple SRO structures with the posibility to obtain electroluminescence | |
| KARIM MONFIL LEYVA | |
| MARIANO ACEVES MIJARES ZHENRUI YU | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Silicon Luminiscence Chemical vapour Multilayers Nanocomposites | |
| En los últimos años se ha intensificado la búsqueda de dispositivos optoelectrónicos basados en silicio (Si) y sobrepasar su desventaja como semiconductor de banda indirecta. Actualmente el óxido de silicio enriquecido (SRO) se considera uno de los materiales con mayor potencial para aplicaciones optoelectrónicas porque se obtiene fácilmente por diferentes técnicas, es compatible con el proceso metal-óxido-semiconductor (MOS) y presenta importantes propiedades ópticas como baja reflectancia, absorción en el espectro ultravioleta, fuerte emisión en el visible así como interesantes propiedades eléctricas como atrapamiento de carga, bloqueo Coulómbico, tuneleo directo y tuneleo Fowler Nordheim. En este trabajo se presenta un estudio de propiedades ópticas y eléctricas de estructuras de SRO multicapas obtenidas depósito químico por vapor a baja presión (LPCVD) sin y con implantación de Si. El exceso de Si en las películas de SRO fue controlado por la razón dada por Ro=N2O/SiH4. Los efectos combinados producidos por el apilamiento de capas de SRO, la implantación de silicio e incremento en la dosis de implantación sobre la fotoluminiscencia (PL) de las multicapas fueron analizados. Los espectros de absorbancia fueron obtenidos para identificar compuestos y tipos de enlace. La morfología superficial fue investigada empleando microscopía de fuerza atómica (AFM). Las propiedades estructurales fueron obtenidas mediante microscopía de transmisión de electrones (TEM). Los mecanismos de inyección de carga fueron investigados mediante mediciones de capacitancia-voltaje (C-V) y corriente-voltaje (I-V). Las muestras multicapas confirmaron la fuerte relación entre el exceso de Si y la PL, absorción óptica, morfología superficial, microestructura y mecanismo de conducción. La implantación de silicio no mostró una influencia significativa al aplicarse en muestras con SRO multicapas a diferencia de lo observado en capas sencillas. En el trabajo también se presentan los resultados y análisis de algunas de las principales propiedades ópticas de películas con Ro=30 al variar el grosor de las mismas. Las capas sencillas con Ro=30 confirmaron la relación y efecto de volumen del SRO asociado con la PL y el mecanismo de emisión. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2009 | |
| Tesis de doctorado | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Monfil-Leyva K. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
Cargar archivos:
| Fichero | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|
| MonfilLeK.pdf | 16.61 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |