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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/433| Obtención y caracterización de películas de carbón dopadas con fósforo, boro y nitrógeno | |
| ERIKA PONDIGO DE LOS ANGELES | |
| CARLOS ZUÑIGA ISLAS PEDRO ROSALES QUINTERO | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Semiconductors Amorphous Doping Plasma CVD | |
| The interest in the optical and electrical properties of the amorphous hydrogenated carbon (a-C: H), has been increased due to its important applications in optoelectronic devices. The a-C:H is a material that lacks a regularity and conserves a tetrahedral arrange, contains between 10 and 60% of hydrogen. An interesting point in this one material is that their physical and electrical properties can be modified or be modeled from the conditions of the preparation technique. In order to obtain this material diverse preparation techniques exist, within major emphasizes the technique of Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition (PECVD). The main advantage of this technique is its compatibility with the technology of silicon, since the obtaining of a-C: H is a low temperature. In this thesis, appears the investigation, obtaining and optical and electrical characterization of the films of a-C: H with phosphorus, boron and nitrogen incorporated. These films were deposited by the technique of PECVD by low frequency and low temperature, using like precursory gas the methane diluted with hydrogen during the deposit in a proportion of 0, 25, 50 and 75%. The films were characterized with the techniques of spectrophotometry of infrared (IR), transmittance visible/UV, perfilometry, characteristic curves I-V and capacitance. The analysis of the results obtained in search of the effect in the optical and electrical properties, as it is the width of the optical band (Eg), resistivity (ρ) and the dielectric constant (k) of the films of a-C: H. El interés en las propiedades ópticas y eléctricas del carbón amorfo hidrogenado (a-C:H), se ha incrementado debido a sus importantes aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. El a-C:H es un material que carece de una periodicidad y conserva un arreglo tetraédrico, contiene entre el 10 y 60% de hidrogeno. Un punto interesante en éste material es que sus propiedades físicas y eléctricas pueden ser modificadas o modeladas a partir de las condiciones de la técnica de preparación. Para obtener éste material existen diversas técnicas de preparación, dentro de las que destaca la técnica de Depósito Químico en Fase Vapor asistido por Plasma (PECVD). La principal ventaja de ésta técnica es su compatibilidad con la tecnología del silicio, ya que el a-C:H se obtiene a baja temperatura. En este trabajo de tesis se presenta la investigación, obtención y caracterización óptica y eléctrica de las películas de a-C:H con fósforo, boro y nitrógeno incorporado. Éstas películas fueron depositadas por la técnica de PECVD a baja frecuencia y baja temperatura, usando como gas precursor el metano diluido con hidrogeno durante el depósito en una proporción de 0, 25, 50 y 75%. Las películas fueron caracterizadas con las técnicas de espectrofotometrías de infrarrojo (IR), transmitancia visible/UV, perfilometría, I-V y capacitancia. El análisis de los resultados obtenidos en busca del efecto en las propiedades ópticas y eléctricas, como es el ancho de la banda óptica (), la resistividad () y la constante dieléctrica () de las películas de a-C:H. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2009 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Pondigo-Angeles E. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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