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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/48| Depósito, caracterización y estudio de películas delgadas de silicio, germanio y siliciogermanio microcristalinos | |
| ARTURO TORRES SANCHEZ | |
| MARIO MORENO MORENO | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Thin films Microcrystalline Silicon Silcon-germanium Germanium | |
| En la actualidad existe un gran interés en el desarrollo de materiales semiconductores nano y microcristalinos depositados a bajas temperaturas, para la fabricación de celdas solares de película delgada, así como en el desarrollo de electrónica en sustratos flexibles. En décadas pasadas, películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) fueron ampliamente utilizadas en celdas solares y transistores de película delgada (TFTs), sin embargo dichas películas presentan degradación a la exposición prolongada de luz, además de muy baja movilidad de portadores, lo que se traduce en dispositivos electrónicos de bajo desempeño. Una alternativa ha sido el desarrollo de películas de silicio microcristalino hidrogenado (μc-Si:H), las cuales presentan una mayor estabilidad a la radiación solar, así como también mayor movilidad de portadores, resultando en celdas solares más estables y TFTs de mejor desempeño. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 03-05-2015 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Público en general | |
| Torres-Sanchez A. | |
| MICROELECTRÓNICA. TECNOLOGÍA DEL SILICIO | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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