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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/499| Síntesis y caracterización de óxido rico en silicio a bajas temperaturas | |
| ORLANDO CORTAZAR MARTINEZ | |
| MARIANO ACEVES MIJARES ALFREDO MORALES SANCHEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Silicon Nanoparticles Oxidation | |
| Se estudio la estructura, composición y propiedades ópticas del Silicio Poroso y de Soluciones Coloidales. Se fabricaron Estructuras que contienen nanocristales de silicio como medio activo. Se usaron las técnicas de AFM, TEM y FTIR para obtener una caracterización estructural y morfológica básica de las películas fabricadas así como la técnica de fotoluminiscencia para la caracterización óptica. De los resultados de AFM se obtuvo que la presencia de granos en la superficie de las películas está relacionad con la presencia de nanocristales de silicio y aglomerados de estas. Para confirmar este hecho, las mediciones mediante TEM, mostraron un tamaño promedio de los nanocristales correspondiente con las dimensiones del modelo propuesto. De los resultados de FTIR se observó que las películas formadas mediante soluciones gel basadas en silicatos (“Spin-on Glass”) producen películas de óxido de silicio con buenas características estructurales. Se obtuvieron propiedades fotoluminiscentes diferentes en las soluciones coloidales dependiendo del método aplicado para separar los nanocristales del silicio poroso. Los espectros de emisión fotoluminiscente observados en las muestras de silicio poroso, soluciones coloidales y las Estructuras con nanocristales con tratamiento térmico a 150°C muestran que la emisión fotoluminiscente es dependiente del tamaño de los nanocristales de silicio. A partir de la ecuación del modelo cuántico mostrado en el capítulo 2 se obtuvieron resultados teóricos de la relación entre el tamaño de nanocristales y la emisión fotoluminiscente. La emisión obtenida tiene una intensidad fotoluminiscente bien definida que puede ser observada a simple vista. El espectro de emisión para las películas con tratamiento térmico a 1100°C muestra una nueva componente es longitudes de onda intermedias en el espectro óptico (~520nm). Esta componente se atribuyó a estados creados por defectos en la interface entre la superficie de las nanocristales de silicio y la matriz de SiO2. En las películas con nanocristales depositados por la evaporación de las soluciones coloidales la rugosidad promedio está relacionada con la cantidad de nanocristales en la superficie del substrato. Se encontró que la cantidad de nanocristales afecta directamente a la intensidad de emisión fotoluminiscente en las películas; mientras mayor sea la densidad de estas, mayor será la rugosidad promedio y mayor será la intensidad de emisión fotoluminiscente. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2010-03 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Cortazar-Martinez O. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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