Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/62| Fabricación de heterouniones con un Óxido Conductor Transparente (TCO) y Óxido de Silicio fuera de estequiometría (SRO) | |
| MARCO POLO GONZÁLEZ ARROYO | |
| MARIANO ACEVES MIJARES MARCO ANTONIO VASQUEZ AGUSTIN | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Transparent conducting oxides Silicon rich oxide Heterojunctions | |
| En este trabajo se presenta el proceso de fabricación y caracterización de una heterounión obtenida al depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre una película de óxido de silicio rico en silicio (SRO). Como TCO se propuso usar una película de óxido de indio impurificado con zinc (IZO) u óxido de zinc impurificado con aluminio (AZO). Como primera etapa, se presentan los resultados de la caracterización de películas IZO y AZO depositadas sobre sustratos de vidrio Corning mediante la técnica de depósito RF Magnetrón Sputtering. El depósito de películas IZO se realizó usando un blanco cerámico de IZO (In2O3:ZnO, 90:10 wt% de Kurt J. Lesker) en ambiente de argón a temperatura ambiente. La caracterización eléctrica, óptica, estructural y morfológica de estas películas se realizó mediante mediciones de 4 Puntas, Efecto Hall, Transmitancia, Fotoluminiscencia, Difracción de Rayos X (XRD) y Microscopio de Fuerza Atómica (AFM). El estudio de las películas se realizó en función de los parámetros de depósito como potencia, presión, tiempo, flujo de oxígeno durante el depósito y tratamientos térmicos post-depósito. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2015-08 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Público en general | |
| Gonzalez-Arroyo M.P. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
Cargar archivos:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| GonzalezAMP.pdf | 4.88 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |