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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/658| Sensores ópticos de silicio con doble barrera con amplificación de señal | |
| ALFONSO TORRES RIOS | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Photodetectors Schottky barrier MOS capacitors | |
| En esta tesis se presenta el diseño y estudio de un detector óptico formado por dos barreras de potencial en los lados opuestos de una oblea de silicio cristalino de alta resistividad. La primera barrera es formada por múltiples diodos Schottky (Ti-Si) rodeados por capacitores MOS (Ti-SiO2-Si). La segunda barrera de potencial es formada por una unión Low-High. La estructura presenta amplificación de ganancia en ambas polarizaciones de voltaje. Cuando se ilumina al detector que se encuentra polarizado con un voltaje negativo en el electrodo de titanio semitransparente se crean campos eléctricos altos en la periferia de los capacitores y el diodo Schottky los cuales afectan la altura efectiva de la barrera y producen un aumento en el flujo de electrones que van del metal hacia el semiconductor. Así, la ganancia de este detector está basado en aprovechar el efecto que se presenta en los bordes de los capacitor MOS y el Diodo Schottky. Cuando el detector se polariza positivamente, la ganancia en fotocorriente corresponde a la de una unión Low-High, que ya ha sido estudiada, y es usada en este trabajo para poder hacer una comparación entre los dos tipos de amplificación de fotocorriente. Además, el proceso de fabricación de este tipo de detector permite ser implementado en un proceso CMOS. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2007-02 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Torres-Rios A | |
| MICROELECTRÓNICA. DISEÑO | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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| TorresRA.pdf | 991.41 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |