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Fecha de publicación | Título | Tipo de publicación/ Tipo de recurso | Autor(es) | Fecha de depósito |
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2011 | Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C | Artículo | MIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; Joel Molina Reyes; MARIO MORENO MORENO; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga | 27-ago-2019 |