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Resultados por ítem:
Fecha de publicación | Título | Tipo de publicación/ Tipo de recurso | Autor(es) | Fecha de depósito |
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2010 | FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratios | Artículo | ABDU ORDUÑA DIAZ; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; ALFONSO TORRES JACOME | 24-sep-2018 |
2010 | Optimization of the contact resistance in the interface structure of n-type Al/a-SiC:H by thermal annealing for optoelectronics applications | Artículo | ROBERTO AMBROSIO; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; MARIO MORENO MORENO; JOSE MIRELES JR. GARCIA | 10-jul-2019 |
2010 | FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratios | Artículo | Abdu Orduña Díaz; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS; MARLON ROJAS LOPEZ; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; ALFONSO TORRES JACOME | 11-jul-2019 |