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Buscar por Autor FRANCISCO TEMOLTZI AVILA

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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2012Comparison of Doping of Gey Si1-y:H (y>0.95) Films Deposited by Low Frequency PECVD at High (300°C) and Low (160°C) TemperaturesArtículoIsmael Cosme Bolaños; ANDREY KOSAREV; FRANCISCO TEMOLTZI AVILA2-may-2021
nov-2009Estudio de las características electrónicas en base a la fotoconductividad en películas de silicio-germanioTesis de maestríaFRANCISCO TEMOLTZI AVILA25-sep-2017
2014Study of optoelectronic characteristics in Germanium- Silicon films deposited by low frequency plasma and related devicesTesis de doctoradoFRANCISCO TEMOLTZI AVILA-
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