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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1471| Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante | |
| JESUS EZEQUIEL MOLINAR SOLIS VICTOR HUGO PONCE PONCE RODOLFO ZOLA GARCIA LOZANO ALEJANDRO DIAZ SANCHEZ JOSE MIGUEL ROCHA PEREZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| FG-inverter neuMOS Floating- gate inversor de compuerta flotante NeuMOS Compuerta flotante | |
| This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of cmos floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. with the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. this parameter plays an important role in modern analog and mixed-signal cmos circuits, since it limits the circuit performance. theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal cmos ami-abn process with 1.2 μm design rules, were compared. the extracted parameters can be incorporated into floating-gate ps pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation. En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia γ de la compuerta flotante en inversores CMOS, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor γ y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. Estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas de tecnología AMI ABN de 1.2 µm, a través de la organización MOSIS. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en PSpice para obtener simulaciones más precisas. | |
| FI-UNAM | |
| 2010 | |
| Artículo | |
| Inglés | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Molinar-Solís J.E., et al., (2010). Electrical parameters extraction of CMOS floating-gate inverters, Ingeniería Investigación y Tecnología, Vol. XI (3): 315-323 | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Electrónica |
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