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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2488| Estudio de los tiempos de vida del SRO | |
| Miguel Armando Tenorio Suñer | |
| Trevino-Palacios Carlos Gerardo | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Photoluminescence SRO Decay optical gain metastable energy level | |
| El desarrollo de un laser de silicio es uno de los inventos mas buscados por la física en la actualidad debido a las aplicaciones en el desarrollo de la fotónica integrada y su implementación en sistemas optoelectrónicos. Sin embargo, este tipo de laser se considera imposible de fabricar debido a las propiedades del silicio cristalino; por lo que se han optado por alternativas agregando impurezas. Para que un laser de silicio sea viable, se requiere que se pueda obtener fotoluminiscencia y que los tiempos de vida sean lo suficientemente grandes como para obtener inversión de población y, por tanto, emisión laser. En este trabajo de tesis, se caracteriza el óxido de silicio rico en silicio (SRO por sus siglas en inglés) debido a la presencia de nanocristales de silicio en el material y a las propiedades fotoluminiscentes que se han reportado en dichos nanocristales. Se realiza un estudio de los tiempos de vida dependiendo de la relación de presiones de los gases reactivos usados al producir la película, longitud de onda de bombeo y potencia de bombeo con el objetivo de mostrar que la fotoluminiscencia de los nanocristales se produce en niveles metaestables y, por lo tanto, pueden tener emisión laser. Para cumplir este objetivo, se requiere que los tiempos de vida se encuentren en el orden de los microsegundos. Adicionalmente, se obtendrán los espectros de emisión para tener una caracterización más completa y confirmar que los tiempos de vida medidos son debidos a la fotoluminiscencia del material. The construction of an all-silicon laser is one of the most wanted breakth- roughs in the scientific community due to its possible applications in integrated photonics development and its implementation on optoelectronic circuits. Un fortunately, the semiconductor indirect bandgap properties of silicon provoke scientists to consider the fabrication of this laser impossible and look for al- ternatives, such as inserting impurities in silicon. It is necessary to obtain photoluminiscence from silicon with sufficiently large decay times to produce inversion population to consider an all-silicon laser viable. In this thesis work, silicon-rich oxide (SRO) is characterized due to the pho- toluminiscent properties in silicon nanocrystals found at the surface of the silicon-rich oxide. A study of the lifetime of photoluminiscence in nanocrystals is presented, using the relation between reactive gases that produce the film, wavelenght and power of the pump beam as parameters. The main objective is to prove the existence of a metastable energy level which produces the photoluminiscence. The measured lifetimes must be in the microsecond order to achieve the objective. Aditionally, the emission spectrums are detected to complete the characterization and confirm the lifetime measurements are due to photoluminiscence. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2023-12 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Tenorio Suñer, M. A., (2023), Estudio de los tiempos de vida del SRO, Tesis de Maestría, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| ÓPTICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Óptica |
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