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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/267| Diseño de una referencia de voltaje bandgap en tecnología CMOS | |
| JAVIER ALEJANDRO MARTINEZ NIETO | |
| MARIA TERESA SANZ PASCUAL PEDRO ROSALES QUINTERO | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Bandgap Temperature compensation Voltage reference | |
| Las referencias de voltaje son una parte esencial de la mayoría de los sistemas electrónicos, ya que fijan un punto de operación estable utilizado por otros subcircuitos para generar resultados predecibles y repetibles. Una referencia de voltaje tiene múltiples aplicaciones en circuitos analógicos y de señal mixta tales como reguladores de voltaje, sistemas de adquisición de datos, memorias, convertidores DA o AD, amplificadores operacionales o equipamiento de medición; y éstos a su vez son componentes indispensables dentro de dispositivos electrónicos que se usan comúnmente (laptops, teléfonos celulares, etc). Entre sus principales características, es que exhiben muy poca dependencia con el voltaje de alimentación y con los parámetros del proceso, y una dependencia bien definida con la temperatura. Las referencias de voltaje bandgap hacen uso de las características de los transistores bipolares, ya que éstas han sido ampliamente estudiadas y caracterizadas, presentando un comportamiento bien definido y predecible con la temperatura. A partir del voltaje Base-Emisor, VBE, es posible obtener otros 2 voltajes que tienen el rol de referencias físicas intrínsecas: el voltaje térmico kT/q y el voltaje bandgap del silicio Vg0. El primero puede ser utilizado para generar un voltaje proporcional a la temperatura absoluta (PTAT), mientras que el voltaje bandgap es usado para generar un voltaje de referencia independiente de ésta. Para su implementación en tecnología CMOS, los transistores bipolares utilizados son normalmente transistores PNP de substrato, los cuales son dispositivos verticales formados por una difusión tipo P, pozo tipo N y substrato P. El hecho de que la tecnologías CMOS permita incluir transistores bipolares bajo el mismo proceso de fabricación, hace posible integrar este tipo de referencias en un mismo chip. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2013-01 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Martınez-Nieto J.A. | |
| ELECTRÓNICA | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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