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Caracterización de MOSFETs de microondas considerando variaciones en el voltaje de substrato
FABIAN ZARATE RINCON
REYDEZEL TORRES TORRES
ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA
Acceso Abierto
Atribución-NoComercial-SinDerivadas
Mosfet
Two-port networks
La manera de caracterizar e implementar modelos de pequeña señal para un MOSFET que opera en el rango de microondas es mediante los bien conocidos parámetros S. En éste caso, se miden dichos parámetros a partir de un analizador de redes vectorial de dos puertos, conectando al transistor en configuración de fuente y substrato comunes. Esto permite inyectar una señal de entrada en la compuerta del dispositivo y observar la salida en el drenaje, obteniendo las correspondientes respuestas de transmisión directa e inversa. La desventaja de utilizar esta técnica es que la caracterización se limita a condiciones de operación en las que el voltaje de substrato de fuente (Vbs) es igual a cero. Esto es un caso muy particular que no siempre se encuentra de manera práctica en un circuito real. Por esta razón, resulta indispensable desarrollar técnicas que permitan llevar a cabo estudios del transistor bajo diferentes condiciones de polarización del substrato, analizando su efecto en el voltaje de umbral y la red parásita del substrato. Éste es el objetivo general del proyecto. Así, se obtiene la caracterización detallada del impacto de las variaciones de Vbs en los elementos del modelo en pequeña señal del MOSFET en el rango de microondas, además de sus parámetros fundamentales, tales como el potencial interconstruido ψbi en las uniones de fuente y drenaje, el voltaje de umbral Vth, el potencial de cuerpo ψB, la concentración de impurezas en el substrato NA y el voltaje de banda plana VFB.
Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
2012-07
Tesis de maestría
Español
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Zárate-Rincón F.
ELECTRÓNICA
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