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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/486| Modelo de la inductancia propia para interconexiones en silicio | |
| JESUS HUERTA CHUA | |
| ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Modelling Inductance Interconnections | |
| Inductive characteristic of conductive materials can be used, in integrated circuits for applications in RF, to:
*To fabricate integrated passive inductors.
*To match impedances.
*To fabricate circuits under the concept of meta-materials.
Nevertheless, they can also cause Problems with impedance matching and therefore increase the reflection or return loss.
Signal delays.
The present thesis describes the used mathematical study for the calculation of the self inductance of a line of metal of cross-sectional rectangular section, as well as the development of a compact model for the mentioned line. This kind of model is applicable in interconnection for integrated circuits and it allows the designer simulate CIs for applications in RF correctly. For the validation of the model, a chip was sent to fabricate with several lines of metal with diverse wide (5, 20, 40, 60, and 80 microns) in a technology AMIS of 0.35 microns. The measurements were done in two laboratories different using two network analyzers different (Wiltron B and HP 850). The experimental results were compared with the proposed mathematical model and models reported in Literature.
En circuitos para aplicaciones en RF, la característica inductiva de los materiales puede utilizarse para: *Fabricar inductores pasivos. *Acoplar impedancias. *La fabricación de circuitos bajo el concepto de meta-materiales. Sin embargo pueden causar también desacoplamientos y por lo tanto aumentar las pérdidas por retorno. Retardos en la señal. La presente tesis describe el estudio matemático utilizado para el cálculo de la inductancia propia de una línea de metal de sección rectangular transversal, así como el desarrollo de un modelo compacto para el tipo de línea mencionada. Este tipo de modelo es aplicable en líneas de interconexión en circuitos integrados y le permite al diseñador simular correctamente un CI para aplicaciones en RF. Para la validación del modelo, se mandó a fabricar líneas de metal de diversos anchos (5, 20, 40, 60, y 80 micras) en una tecnología AMIS de 0.35 micras. Las mediciones fueron hechas en dos laboratorios distintos utilizando dos analizadores de redes diferentes (Wiltron B y HP 850). Los resultados experimentales fueron comparados con el modelo matemático propuesto y con modelos reportados en la literatura | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2008-12 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Huerta-Chua J | |
| DISPOSITIVOS DE GRABACIÓN | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Electrónica |
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