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http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/634| Diseño y análisis de celdas de memoria en presencia de radiación | |
| JESUS MORENO MORENO | |
| VICTOR HUGO CHAMPAC VILELA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| Radiation Cells (Electric) Hardening | |
| La interacción de un sistema espacial con su ambiente es una consideración importante en el diseño de cualquier sistema espacial, ya que existen una gran variedad de peligros que se asocian a la operación de un sistema en el ambiente hostil del espacio. El ambiente espacial tiene una estructura compleja y dinámica. Existe una gran cantidad de procesos físicos como: partículas cargadas, plasmas, campos eléctricos y magnéticos, radiación solar, meteoros, etc. cada uno pueden causar daños profundos a un sistema espacial, deteriorando su funcionamiento y reduciendo su tiempo de vida. Las interacciones entre un sistema espacial y su ambiente pueden causar modificaciones al ambiente natural, dando lugar a los ambientes locales que alternadamente afectan el comportamiento del sistema [1]. Las numerosas anomalías operacionales y las fallas en sistemas espaciales se han reportado desde los principios de la edad espacial, un número significativo de las cuales fueron atribuidos a los efectos de la radiación en sistemas electrónicos. Las teorías del daño de la radiación en materiales semiconductores se presentaron en los años de los 50's, pues era una necesidad urgente entender por que los dispositivos semiconductores usados en el espacio y el equipo militar presentaban un mal funcionamiento después de la exposición al ambiente del espacio o a las explosiones nucleares. Un caso particular de la radiación fue postulada por primera vez por Wallmark y Marcus en 1962 [2]. Ésta era la posibilidad de "sus esos aislados" o "single events effects" (SEE), donde una sola partícula cargada de energía causa una alteración en el estado lógico en un nodo sensible del dispositivo. Las primeras anomalías en los satélites reales fueron divulgadas por Binder et al. en 1975 [3]. Existen dos tipos de mecanismos físicos producidos por la radiación que pueden afectar a los materiales de los dispositivos electrónicos: ionizantes, el daño se debe principalmente a la liberación de carga, y no ionizantes o por desplazamiento, el daño se produce al ser arrancados átomos de la red cristalina. Ambos mecanismos no son excluyentes y pueden suceder de forma simultánea. Por ejemplo, un protón puede chocar con los átomos de un material creando defectos cristalinos y, al mismo tiempo, crear un exceso de carga libre al arrancar electrones a lo largo de su trayectoria. | |
| Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| 2007-11 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estudiantes Investigadores Público en general | |
| Moreno-Moreno J | |
| DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES | |
| Versión aceptada | |
| acceptedVersion - Versión aceptada | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Electrónica |
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