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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2009Analysis of the impact of the drain-junction tunneling effect on a microwave MOSFET from S-parameter measurementsArtículoEMMANUEL TORRES RIOS; REYDEZEL TORRES TORRES; EDMUNDO ANTONIO GUTIERREZ DOMINGUEZ17-jul-2018
2008Analytical characterization and modeling of shielded test structures for RF-CMOSArtículoEMMANUEL TORRES RIOS; REYDEZEL TORRES TORRES; ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA; EDMUNDO ANTONIO GUTIERREZ DOMINGUEZ24-ago-2018
2009Analysis of the impact of the drain-junction tunneling effect on a microwave MOSFET from S-parameter measurementsArtículoEMMANUEL TORRES RIOS; REYDEZEL TORRES TORRES; EDMUNDO ANTONIO GUTIERREZ DOMINGUEZ24-ago-2018
2009Characterization of electrical transitions using transmission line measurementsArtículoREYDEZEL TORRES TORRES; GAUDENCIO HERNANDEZ SOSA24-ago-2018
2010Using S-parameter measurements to determine the threshold voltage, gain factor, and mobility degradation factor for microwave bulk-MOSFETsArtículoGERMAN ANDRES ALVAREZ BOTERO; REYDEZEL TORRES TORRES; ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA17-oct-2018
2010Transmission line characterization on silicon considering arbitrary distribution of the series and shunt pad parasiticsArtículoREYDEZEL TORRES TORRES; RAFAEL VENEGAS FERRER31-oct-2018
2010Extraction of the model parameters for the attenuation in printed transmission linesArtículoREYDEZEL TORRES TORRES; SVETLANA CARSOF SEJAS GARCIA31-oct-2018

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