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| Fecha de publicación | Título | Tipo de publicación/ Tipo de recurso | Autor(es) | Fecha de depósito |
|---|---|---|---|---|
| 14-jul-2013 | Fine-tuning of the interface in high-quality epitaxial silicon films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 200 °C | Artículo | MARIO MORENO MORENO | 28-mar-2022 |