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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2008Análisis de las características de celdas solares basadas en heteroestructuras ITO/n-Si.Tesis de maestríaGUILLERMO RUIZ TABOADA4-oct-2017
dic-2007Compositional and structural characterization of silicon nanoparticles embedded in silicon rich oxideArtículoJOSE ALBERTO LUNA LOPEZ; MARIANO ACEVES MIJARES; OLEKSANDR MALIK; JORGE EDUARDO RICKARDS CAMPBELL19-feb-2018
2008Digital output silicon optical sensorsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS23-abr-2018
2008Efficient ITO–Si solar cells and power modules fabricated with a low temperature technology: Results and perspectivesArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; GUILLERMO RUIZ TABOADA23-abr-2018
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
2007Investigación de las características estructurales, ópticas y eléctricas del SRO para su posible aplicación a dispositivos Tesis de doctoradoJOSE ALBERTO LUNA LOPEZ10-oct-2017
dic-2007Obtención de profundidades de unión xj menores a 0.4 μm, con una óptima activación de los dopantes implantados o depositados Tesis de doctoradoJairo Plaza Castillo11-oct-2017
feb-2014Optoelectronic properties of tin doped indium oxide films fabricated by DC magnetron sputtering with post annealing in oxygen atmosphereTesis de maestríaCRISTIAN JAVIER HERRERA RODRIGUEZ-
2008Pulse characteristics of silicon double barrier optical sensors with signal amplificationArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS26-abr-2018
2014Study of optoelectronic characteristics in Germanium- Silicon films deposited by low frequency plasma and related devicesTesis de doctoradoFRANCISCO TEMOLTZI AVILA-
abr-2007The physical reason of intense electroluminescence in ITO–Si heterostructuresArtículoOLEKSANDR MALIK; Arturo I. Martinez; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE20-feb-2018
2010UV-sensitive optical sensors based on ITO-gallium phosphide heterojunctionsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; JESUS HUMBERTO ABUNDIS PATIÑO17-oct-2018
2008Very shallow boron junctions in Si by implantation and SOD diffusion obtained by RTPArtículoJairo Plaza Castillo; ALFONSO TORRES JACOME; OLEKSANDR MALIK2-may-2018