2. Repositorio INAOE
INAOE Repositorio
Mi INAOE Alertas Editar Perfil

Buscar

Comenzar nueva búsqueda

Usa los filtros para afinar la búsqueda.

Resultados 1-10 de 13.

Resultados por ítem:

Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
abr-2007The physical reason of intense electroluminescence in ITO–Si heterostructuresArtículoOLEKSANDR MALIK; Arturo I. Martinez; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE20-feb-2018
2008Efficient ITO–Si solar cells and power modules fabricated with a low temperature technology: Results and perspectivesArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; GUILLERMO RUIZ TABOADA23-abr-2018
2008Pulse characteristics of silicon double barrier optical sensors with signal amplificationArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS26-abr-2018
2008Digital output silicon optical sensorsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS23-abr-2018
2008Reliability characteristics of W-La2O3 structures compared with those of HfO2-based gate oxidesArtículoJOEL MOLINA REYES; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; PEDRO ROSALES QUINTERO17-ago-2018
2010UV-sensitive optical sensors based on ITO-gallium phosphide heterojunctionsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; JESUS HUMBERTO ABUNDIS PATIÑO17-oct-2018
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
2011Design and fabrication of a bidimentional microbolometer array for Terahertz detection characterized at different temperaturesArtículoAbdu Orduña Díaz; Edgar Castillo Domínguez; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-abr-2019
2011Device application of non-equilibrium MOS capacitors fabricated on high resistivity siliconArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE2-may-2019
2012Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °CArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; MARIO MORENO MORENO; Joel Molina Reyes; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga2-may-2021

Otras opciones relacionadas