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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2008Comparison of three un-cooled micro-bolometers configurations based on amorphous silicon–germanium thin films deposited by plasmaArtículoMARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; ROBERO CARLOS AMBROSIO LAZARO19-abr-2018
mar-2012Development of Low-Temperature ambipolar a-SiGe:H Thin-Film transistors technologyTesis de doctoradoMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ26-oct-2017
nov-2009Estudio de las características electrónicas en base a la fotoconductividad en películas de silicio-germanioTesis de maestríaFRANCISCO TEMOLTZI AVILA25-sep-2017
jul-2008Fabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H Tesis de maestríaMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ21-sep-2017
2011Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon HeterojunctionsArtículoPedro Rosales Quintero; MARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; Joel Molina Reyes; Wilfrido Calleja Arriaga; CARLOS ZUÑIGA ISLAS25-sep-2019
ene-2013Study of GeSi:H materials deposited by PECVD at low temperatures (Td<200 °C) for device applicationsTesis de doctoradoISMAEL COSME BOLAÑOS-
2014Study of optoelectronic characteristics in Germanium- Silicon films deposited by low frequency plasma and related devicesTesis de doctoradoFRANCISCO TEMOLTZI AVILA-
2008Thermo-sensing silicon–germanium–boron films prepared by plasma for un-cooled micro-bolometersArtículoALFONSO TORRES JACOME; MARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; AURELIO HORACIO HEREDIA JIMENEZ2-may-2018
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