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Buscar por Autor FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE

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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2012Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °CArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; MARIO MORENO MORENO; Joel Molina Reyes; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga2-may-2021
mar-2013Analysis of threshold voltage fluctuations due to short channel and random doping effectsArtículoFRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE11-dic-2021
mar-2009Crecimiento y propiedades del óxido y su interfase con silicio de alto índice cristalinoTesis de doctoradoRAMIRO ROGELIO RODRIGUEZ MORA22-sep-2017
2011Design and fabrication of a bidimentional microbolometer array for Terahertz detection characterized at different temperaturesArtículoAbdu Orduña Díaz; Edgar Castillo Domínguez; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-abr-2019
2011Device application of non-equilibrium MOS capacitors fabricated on high resistivity siliconArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE2-may-2019
2008Digital output silicon optical sensorsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS23-abr-2018
nov-2019Diseño de un circuito integrado de pruebas para tecnología CMOS 0.8 micrasTesis de maestríaCarlos Alfredo Pelcastre Ortega16-mar-2021
2008Efficient ITO–Si solar cells and power modules fabricated with a low temperature technology: Results and perspectivesArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; GUILLERMO RUIZ TABOADA23-abr-2018
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
jun-2014Estudio de las propiedades termo mecánicas del Polisilicio para su aplicación en sensores inteligentesTesis de doctoradoFERNANDO JULIAN QUIÑONES NOVELO-
2011Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon HeterojunctionsArtículoPedro Rosales Quintero; MARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; Joel Molina Reyes; Wilfrido Calleja Arriaga; CARLOS ZUÑIGA ISLAS25-sep-2019
abr-2008Implantación y difusión de impurezas en silicio de alto índice cristalinoTesis de doctoradoMIGUEL CASTRO LICONA21-sep-2017
feb-2008Modelado y simulación del MOSFET de umbral dinámico (DTMOS)Tesis de doctoradoABIMAEL JIMENEZ PEREZ27-sep-2017
feb-2014Optoelectronic properties of tin doped indium oxide films fabricated by DC magnetron sputtering with post annealing in oxygen atmosphereTesis de maestríaCRISTIAN JAVIER HERRERA RODRIGUEZ-
2008Pulse characteristics of silicon double barrier optical sensors with signal amplificationArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS26-abr-2018
2008Reliability characteristics of W-La2O3 structures compared with those of HfO2-based gate oxidesArtículoJOEL MOLINA REYES; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; PEDRO ROSALES QUINTERO17-ago-2018
1-feb-2013Semiconductor Light-Controlled Instrument Transducer with Direct PWM Output for Automatic Control SystemsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE11-dic-2021
2012Study of polymorphous silicon as thermo-sensing film for infrared detectorsArtículoMARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; Pedro Rosales Quintero; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; CLAUDIA REYES BETANZO; Wilfrido Calleja Arriaga; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE5-may-2021
abr-2007The physical reason of intense electroluminescence in ITO–Si heterostructuresArtículoOLEKSANDR MALIK; Arturo I. Martinez; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE20-feb-2018
2010UV-sensitive optical sensors based on ITO-gallium phosphide heterojunctionsArtículoOLEKSANDR MALIK; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; JESUS HUMBERTO ABUNDIS PATIÑO17-oct-2018
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