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Fecha de publicaciónTítuloTipo de publicación/ Tipo de recursoAutor(es)Fecha de depósito
2010a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate usedArtículoABDU ORDUÑA DIAZ; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; MARTHA DOLORES BIBBINS MARTINEZ; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-oct-2018
2010a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate usedArtículoMARLON ROJAS LOPEZ; Abdu Orduña Díaz; RAUL JACOBO DELGADO MACUIL; VALENTIN LOPEZ GAYOU; MARTHA DOLORES BIBBINS MARTINEZ; ALFONSO TORRES JACOME; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS11-jul-2019
2012Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °CArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME; MARIO MORENO MORENO; Joel Molina Reyes; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga2-may-2021
2010An overview of uncooled infrared sensors technology based on amorphous silicon and silicon germanium alloysArtículoROBERTO AMBROSIO; MARIO MORENO MORENO; JOSE MIRELES JR. GARCIA; ALFONSO TORRES JACOME; ANDREY KOSAREV; AURELIO HORACIO HEREDIA JIMENEZ29-oct-2018
2007Análisis del potencial del PTFE como substrato para la fabricación de circuitos impresos en alta frecuencia Tesis de maestríaROSA ANGELINA CHAVEZ VELAZQUEZ5-oct-2017
2008Boron incorporation and its effect on electronic properties of Ge:H films deposited by LF plasmaArtículoANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; SALVADOR GALLARDO HERNANDEZ23-abr-2018
feb-2013Caracterización de sensibilidad y degradación de películas ultra-delgadas de Al2O3 y su aplicación en sensores de estado sólido sensibles a ionesTesis de maestríaBERNI MANOLO PEREZ RAMOS3-nov-2017
feb-2010Caracterización de Spin-on-Glass como dieléctrico de compuerta en dispositivos MOS y como material vehículo para el depósito de HfO2Tesis de maestríaANA LUZ MUÑOZ ROSAS3-oct-2017
19-jul-2013Chemical and Morphological Characteristics of ALD Al₂O₃ Thin-Film Surfaces after Immersion in pH Buffer SolutionsArtículoJoel Molina Reyes; BERNI MANOLO PEREZ RAMOS; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; Wilfrido Calleja Arriaga; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME28-mar-2022
2008Comparison of three un-cooled micro-bolometers configurations based on amorphous silicon–germanium thin films deposited by plasmaArtículoMARIO MORENO MORENO; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; ROBERO CARLOS AMBROSIO LAZARO19-abr-2018
2008Degradation and Breakdown of W–La2O3 Stack after Annealing in N2ArtículoJOEL MOLINA REYES; ALFONSO TORRES JACOME; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA26-abr-2018
2012Deposition and characterization of polymorphous germanium films prepared by low frequency PECVDArtículoMARIO MORENO MORENO; ALFONSO TORRES JACOME; Pedro Rosales Quintero; ANDREY KOSAREV; CARLOS ZUÑIGA ISLAS; CLAUDIA REYES BETANZO; Miguel Dominguez5-may-2021
feb-2013Desarrollo de micro-bolómetros no enfriados basados en Silicio y Germanio PolimorfoTesis de maestríaRICARDO JIMENEZ ZAVALA-
2011Design and fabrication of a bidimentional microbolometer array for Terahertz detection characterized at different temperaturesArtículoAbdu Orduña Díaz; Edgar Castillo Domínguez; ALFONSO TORRES JACOME; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; CARLOS GERARDO TREVIÑO PALACIOS29-abr-2019
mar-2012Development of Low-Temperature ambipolar a-SiGe:H Thin-Film transistors technologyTesis de doctoradoMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ26-oct-2017
jun-2016Diseño de un proceso integrado de fabricación de sistemas micro-electromecánicos (MEMS) genérico y modular.Tesis de doctoradoCARLOS RAMON BAEZ ALVAREZ31-ago-2017
2010Electrical characterization of a-C:H as a dielectric material in metal/insulator/metal structuresArtículoCARLOS ZUÑIGA ISLAS; ANDREY KOSAREV; ALFONSO TORRES JACOME; PEDRO ROSALES QUINTERO; WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA; FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE; OLEKSANDR MALIK29-oct-2018
ene-2013Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film TransistorsArtículoMiguel Dominguez; Pedro Rosales Quintero; ALFONSO TORRES JACOME3-dic-2021
2011Enhancement of the electrical characteristics of MOS capacitors by reducing the organic content of H2O-diluted Spin-On-Glass based oxidesArtículoJoel Molina Reyes; ALFONSO TORRES JACOME; Jose Efren Peña Alarcon Peña; Manuel Escobar Aguilar11-jul-2019
dic-2013Estudio de las características electrónicas de las películas de a-SiGe:H y pm-SiGe:H depositadas por plasma sobre sustratos de plásticoTesis de maestríaCARLOS ALBERTO OSPINA OCAMPO-
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